มอสเฟ็ทสำหรับยานยนต์ขนาดเล็กช่วยเพิ่มความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้า

Diodes Incorporated ประกาศเปิดตัว DMTH4008LFDFWQ พิกัด 40V และพิกัด 60V DMTH6016LFDFWQ ที่ สอดคล้องกับยานยนต์ที่บรรจุใน DFN2020 MOSFET ขนาดเล็กเหล่านี้ใช้พื้นที่เพียง 10% ของพื้นที่ PCB ของแพ็คเกจขนาดใหญ่เช่น SOT223 ทำให้มีความหนาแน่นของพลังงานมากขึ้นในตัวแปลง DC-DC ไฟแบ็คไลท์ LED ADAS และแอพพลิเคชั่นสำหรับยานยนต์ 'ใต้ฝากระโปรง' อื่น ๆ

DMTH4008LFDFWQมี RDS ทั่วไป (ON) ของ11.5mΩที่ VGS = 10V และค่าใช้จ่ายประตู, Qg, เพียง 14.2nC DMTH6016LFDFWQมี RDS ทั่วไป (ON) ของ13.8mΩที่ VGS = 10V และ Qg ของ 15.2nC ในทำนองเดียวกันอุปกรณ์ทั้งสองมีคุณสมบัติที่ 175 ° C และบรรจุในแก้มยาง DFN2020 ทำให้เหมาะสำหรับใช้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูง

เมื่อใช้ในแอปพลิเคชันทั่วไปเช่นตัวแปลงบัค 12V, 5A DMTH4008LFDFWQ จะใช้พลังงานน้อยกว่า MOSFET ของคู่แข่ง 20% การปรับปรุงประสิทธิภาพที่สำคัญนี้ช่วยให้นักออกแบบยานยนต์มีความยืดหยุ่นมากขึ้นและมีอิสระในการเพิ่มความหนาแน่นของกำลังในการใช้งานยานยนต์ใหม่หรือที่มีอยู่

DMTH4008LFDFWQ และ DMTH6016LFDFWQ MOSFETs เป็นยานยนต์ที่สอดคล้องกับ AEC-Q101 และการสนับสนุนจาก PPAP สำหรับตรวจสอบย้อนกลับเต็มรูปแบบ