ตัวแปลงบูสต์แบบซิงโครนัสประสิทธิภาพสูงขนาดกะทัดรัดสำหรับสูง

Diodes Incorporated เปิดตัว AP72200ซึ่งเป็นตัวแปลง DC-DC แบบซิงโครนัสแบบซิงโครนัสกระแสสูงพร้อมด้วย MOSFET H-Bridge ด้านสูงและด้านต่ำในตัวซึ่งให้ประสิทธิภาพสูงถึง 97% พร้อมความแม่นยำในการควบคุมแรงดันไฟฟ้า 1% กระแสไฟนิ่งต่ำ ระลอกเอาท์พุทต่ำมาก

ด้วยการใช้เทคโนโลยีการควบคุมบัค / บูสต์โหมดกระแสที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ Diodes Incorporated ทำให้ AP72200 มีการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่ยอดเยี่ยมและกระแสเอาต์พุตต่อเนื่องสูงถึง 2A การออกแบบช่วยให้สามารถเปลี่ยนระหว่างการทำงานของบัคและบูสต์ได้อย่างราบรื่นในขณะที่ช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้าง 2.3V ถึง 5.5V ให้ความยืดหยุ่นในการจ่ายและสร้างแรงดันเอาต์พุตระหว่าง 2.6V ถึง 5.14V

การผสานรวมระดับสูงของอุปกรณ์ AP72200 กับกระแสไฟนิ่งต่ำและช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตกว้างทำให้เหมาะสำหรับแอปพลิเคชั่นพกพาที่หลากหลายรวมถึงสมาร์ทโฟนแท็บเล็ตและอุปกรณ์สำหรับผู้บริโภคที่ใช้แบตเตอรี่

คุณสมบัติหลายอย่างของ AP72200 นั้นผู้ใช้สามารถกำหนดค่าได้ผ่านอินเทอร์เฟซ I2C มาตรฐานอุตสาหกรรมซึ่งสามารถทำงานในโหมดมาตรฐานโหมดเร็วโหมดเร็วบวกและโหมดความเร็วสูง ซึ่งรวมถึงทางลาดขึ้นลงของแรงดันไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้และอัตราการลดลงของทางลาด, การคายประจุที่ใช้งานเอาท์พุท, เกณฑ์การป้องกันแรงดันเกินและเกณฑ์กระแสเกิน AP72200 ยังสามารถกำหนดค่าให้ทำงานในโหมด PWM หรือ PFM เช่นเดียวกับในโหมดอัลตราโซนิกซึ่งจะลดความถี่ในการสลับเพื่อหลีกเลี่ยงการสร้างความถี่ฮาร์มอนิกย่อยในพื้นที่ 20kHz ที่อาจทำให้เกิดสัญญาณรบกวนในช่วงความถี่ที่ได้ยิน นอกจากนี้เอาท์พุตบัค / บูสต์ยังสามารถปิดใช้งานได้โดยใช้อินเทอร์เฟซ I2C ซึ่งทำให้อุปกรณ์หลักสามารถควบคุมการทำงานของตัวควบคุมผ่านบัส I2C มาตรฐาน แรงดันไฟฟ้าขาออกสามารถตั้งค่าได้ระหว่าง 2.60V และ 5.14V ใน 0เพิ่มขึ้น 02V โดยการตั้งโปรแกรมอุปกรณ์ผ่าน I2C

MOSFET H-Bridge ในตัวมี RDS (ON) ต่ำมากที่25mΩและกระแสไฟปิดน้อยกว่า 1µA กระแสไฟฟ้าดับจะต่ำถึง 20µA เมื่อทำงานในโหมดไม่เปลี่ยนและปกติคือ 29µA ในโหมด PFM ยิ่งไปกว่านั้นความถี่ในการเปลี่ยนในโหมดสวิตชิ่งแบบต่อเนื่องโดยทั่วไปคือ 2.5MHz ลดลงเหลือ 27kHz ในโหมดอัลตราโซนิก